半導体基礎1 2025年1月1日 最終更新日時 : 2025年1月1日 semi-journal 半導体基礎1 | Semi journal コンテンツへスキップ ナビゲーションに移動 半導体の用途半導体の電気抵抗率半導体の材料地殻中の元素存在比シリコンの抵抗率制御MOSFETの構造と酸化膜原子の基本構造価電子とオクテット則シリコンの構造:共有結合n型半導体の電子配置p型半導体の電子配置ホール(正孔)伝導の仕組み共有結合による原子の安定化原子の結合によるエネルギーバンド形成金属・半導体・絶縁体のバンド構造1金属・半導体・絶縁体のバンド構造2真性半導体のバンド構造n型半導体のバンド構造p型半導体のバンド構造pn接合による多数キャリアの拡散pn接合による空乏層の生成pn接合の平衡状態pn接合のバンド図pn接合による空乏層の生成pn接合の順方向バイアス順方向バイアスの電子の流れpn接合の逆方向バイアス半導体の降伏現象ツェナー降伏とアバランシェ降伏アバランシェ降伏の原理電子雪崩の原理アバランシェ降伏のバンド図ツェナー降伏の原理ツェナー降伏におけるキャリア発生の模式図ツェナー降伏のバンド図 イラストトップに戻る PAGE TOP FacebookXBlueskyHatenaPocketCopy