シリコンミッシング(silicon missing)

FinFETなどのSiピラー・Siフィンを熱酸化し、表面にゲート酸化膜を形成する過程において、ピラーやフィンからシリコン原子が放出され、ピラー・フィンが過剰に細くなってしまう現象。

ピラー・フィンが細くなると構造が倒壊したり、Siピラー・Siフィンと酸化膜界面に凹凸が生じ、電気抵抗が上昇する。

先端デバイスがナノレベルまで微細化したため表面化した。

参考文献 参考図書

1. シリコンウェーハ、及び、シリコンウェーハの製造方法(特開2022-006418)

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