HEMT(high electron mobility transistor)

2022年7月24日 最終更新日時 : 2023年4月28日 semi-journal

化合物半導体を利用した電界効果型トランジスタ。半導体ヘテロ接合による高移動度の二次元電子(2DEG)ガス層をチャネルとする。

  1. 高電子移動度トランジスタ(Wikiepedia)
  2. 高電子移動度トランジスタ(富士通)
  3. GaN-HEMTとは(新電元工業)

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