ツェナー降伏(zener breakdown)

高ドーパント濃度のpn接合に強い逆バイアスを印加した際に発生する降伏現象。逆方向電流が流れる。

高ドーパント濃度のpn接合では空乏層幅が狭く、空乏層に高電圧が印可される。高電圧によりSi-Si結合電子(価電子)が引き抜かれ、自由キャリアを生成するため逆方向電流が流れる。

半導体の降伏現象：ツェナーとアバランシェの違い

アバランシェ降伏

参考文献 参考図書

1. アバランシェブレークダウン (Wikipedia)
2. 降伏現象 (秋田高専)

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