ワイドギャップ半導体(wide-bandgap semiconductor)

バンドギャップの大きい半導体。バンドギャップが2.2eV以上の半導体のことを指すことが多い。

III-V族半導体、特に窒化物半導体は大きなバンドギャップを持ち、ワイドギャップ半導体となることが多い。ワイドギャップ半導体の例は以下の通り。

• 窒化ガリウムGaN：3.39eV
• 炭化ケイ素SiC：2.20-3.02eV
• ダイヤモンド：5.47eV

シリコンなど従来の半導体材料よりも高い電圧・周波数・温度で動作可能なことから、パワーデバイスなどへ応用されている。

参考文献 参考図書

1. ワイドギャップ半導体(Wikiepedia)

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