CVD(Chemical Vapor Deposition)

(出典：ニデック)

基板への薄膜形成法の一種。加熱した基板上に、目的となる薄膜の原料ガスを供給し、熱・プラズマ・光などのエネルギーを与え、基板表面あるいは気相中での化学反応により膜を堆積する方法。

CVDはChemical Vapor Depositionの略で、日本語では化学気相成長と呼ばれる。

半導体においては、Si基板上により高品質なSi薄膜を堆積するエピタキシャル成長に用いられている。

エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長

参考文献 参考図書

1. 化学気相成長(Wikipedia)
2. エピタキシャル成長(Wikipedia)

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