直接遷移型半導体(direct bandgap semiconductor)

伝導帯の電子と価電子帯の正孔が再結合する際に、波数が変わらない半導体。

伝導帯の底と価電子帯の頂上が同一の波数ベクトル上に存在する。キャリアの再結合にフォノンを介在する必要がない為、キャリア寿命が短く、発光効率が高くなりやすい。

間接遷移型半導体

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