間接遷移型半導体(indirect bandgap semiconductor)
semi-journal伝導帯の電子と価電子帯の正孔が再結合する際に、波数が変化する半導体。
伝導帯の底と価電子帯の頂上が同一の波数ベクトル上に存在しないため、波数を変化させるために運動量が必要となる。そのため、格子振動(フォノン)の吸収や放出を生じたうえで電子と正孔が再結合する。
間接遷移半導体ではフォノンを介在する必要があるため、キャリアの再結合寿命も長い。キャリア拡散長も長くなるため、表面準位や欠陥準位に捕獲され非発光の遷移も起こりやすい事から、発光効率も低下する。
\専門家厳選！/
半導体学習に役立つ参考書・サイト
