電気抵抗率(electrical resistivity)
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電気の流れにくさを表す物性値。単位はΩ・mまたはΩ・cmが用いられる。単に、抵抗率や比抵抗とも呼ばれる。
電気抵抗率は次式で表される。
$$\rho = \frac{RA}{l}$$
ρ:電気抵抗率、 R:電気抵抗、 A:導体の断面積、 l:導体の長さ
また、電気抵抗率ρの逆数1/ρは電気伝導率σ(導電率)と呼ばれ、値が大きいほど電気を良く通す。
$$\sigma = \frac{1}{\rho}$$
σ:電気伝導率、 ρ:電気抵抗率
半導体の電気抵抗率は概ね、以下の様に定義される。
- 導体：10-8～10-4Ωcm
- 半導体：10-4～108Ωcm
- 絶縁体：108～1018Ωcm
純粋なSiの電気抵抗率は3.97×103Ωcm、n型/p型半導体の電気抵抗率は不純物ドープ量に大きく依存するが、1.0×10-4Ωcm～1.0×104Ωcmの範囲とされる。
不純物ドープ量と抵抗率の関係はアーヴィンカーブ(Irvin curve)によって計算されることが知られている。
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