置換型炭素(substitutional carbon)

シリコンの結晶格子において、格子位置を占有する炭素。C_iと表記する。

置換型炭素C_sは電気的に不活性であるが、イオン注入や熱処理により格子間位置にはじき出され格子間炭素C_iとなると電気的に活性となるためデバイス不良を引き起こす。

格子間炭素

参考文献 参考図書

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