格子間酸素(interstitial oxygen)
semi-journalシリコンの結晶格子において、格子間位置を占有する酸素。Oiと表記する。
格子間酸素は、デバイス工程での熱処理により拡散・凝集することで析出し、BMDと呼ばれる酸素析出物を形成する。
酸素析出物はそれ自身がリークの原因にもなるし、金属元素のゲッタリングサイトとなることでリークを生じる原因となるため、Siウェーハの酸素濃度はデバイスに非常に重要である。
数はSiウェーハの赤外分光(FTIR)スペクトルである。
格子間酸素は1106-1に赤外吸収ピークを持つため、FTIRにより定量することが出来る。
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