アバランシェ降伏(avalanche breakdown)

pn接合に強い逆方向バイアスを印加した際に発生する降伏現象。逆方向電流が流れる。

pn接合に大きな逆バイアスが印加されると、p型領域の自由電子が加速される。加速された電子はSi原子に衝突し電子をたたき出し、叩き出された電子はまた加速され、また別の電子をたたき出す。連鎖的に自由電子が発生することで、pn接合に大きな逆方向電流が流れる。

半導体の降伏現象：ツェナーとアバランシェの違い

ツェナー降伏

参考文献 参考図書

1. アバランシェブレークダウン (Wikipedia)
2. 降伏現象 (秋田高専)

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