格子間炭素(interstitial carbon)
semi-journalシリコンの結晶格子において、格子間位置を占有する炭素。Ciと表記する。
格子間炭素Ciは酸素などの不純物と複合体と形成し電気的に活性となるため、デバイス不良を引き起こす原因となる。シリコンのPL測定により同定・定量することが出来る。
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半導体学習に役立つ参考書・サイトsemi-journal
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