TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown)

MOSFETの絶縁膜(酸化膜)に電圧を印加すると、ある電圧で絶縁破壊が発生しリーク電流が急激に増加する。この現象をTZDBと呼ぶ。

TZDBが高いほど高電界強度に耐えられるため、MOSFETの動作性能が高い。TZDBの評価は絶縁耐圧強度と故障の相対頻度のヒストグラムによって表される。

MOSFETの耐圧においては、酸化膜の真性破壊電圧を表すCモードの頻度が高いほど高品質となる。

MOSFETのゲート絶縁膜信頼性評価：TZDBとTDDBの違い

MOSFETとは：動作原理・構造・応用例

参考文献 参考図書

1. デバイス/モジュールの信頼性評価、電気的特性測定・評価(OKIエンジニアリング)
2. CMOS向け高誘電率ゲート絶縁膜の長期信頼性価(筑波大学)
3. 先端半導体LSIデバイスの信頼性保証技術(東芝レビュー)
4. シリコンウェーハの信頼性評価技術(新日鉄技報)
5. TDDB(酸化膜破壊)試験(Qualtec)

\専門家厳選！/

半導体学習に役立つ参考書・サイト