TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)

(出典:Qualtec)

MOSFETの絶縁膜(酸化膜)に長時間定電圧または定電流ストレスを与え続けると、ある時間経過後に絶縁破壊を起こす現象。

ウェーハ上に数百~数千点の素子を作製し、評価素子のうち50%が絶縁破壊されるまでの電圧と定義される。

MOSFETのスケーリング則によってゲート絶縁膜厚も薄くなっているため、絶縁膜の電界強度も年々増加しており、TDDBによる絶縁膜の長期的信頼性評価が重要となっている。

MOSFETのゲート絶縁膜信頼性評価：TZDBとTDDBの違い

MOSFETとは：動作原理・構造・応用例

スケーリング則(デナード則)とは

参考文献 参考図書

1. デバイス/モジュールの信頼性評価、電気的特性測定・評価(OKIエンジニアリング)
2. CMOS向け高誘電率ゲート絶縁膜の長期信頼性価(筑波大学)
3. 先端半導体LSIデバイスの信頼性保証技術(東芝レビュー)
4. シリコンウェーハの信頼性評価技術(新日鉄技報)
5. TDDB(酸化膜破壊)試験(Qualtec)

\専門家厳選！/

半導体学習に役立つ参考書・サイト