TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)

MOSFETの絶縁膜(酸化膜)に長時間定電圧または定電流ストレスを与え続けると、ある時間経過後に絶縁破壊を起こす現象。

ウェーハ上に数百~数千点の素子を作製し、評価素子のうち50%が絶縁破壊されるまでの電圧と定義される。

MOSFETのスケーリング則によってゲート絶縁膜厚も薄くなっているため、絶縁膜の電界強度も年々増加しており、TDDBによる絶縁膜の長期的信頼性評価が重要となっている。

MOSFETのゲート絶縁膜信頼性評価:TZDBとTDDBの違い

MOSFETとは:動作原理・構造・応用例

スケーリング則(デナード則)とは

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