多数キャリア(majority carrier)
半導体に存在する電荷(電子・正孔)のうち、数が多い方のキャリア。N型半導体の電子、P型半導体の正孔が多数キャリアに当たる。 反対に、数が少ない方のキャリアは少数キャリアと呼ぶ。 少数キャリア 参考文献 参考図書 \専門家 […]
少数キャリア(minority carrier)
半導体に存在する電荷(電子・正孔)のうち、数が少ない方のキャリア。N型半導体の正孔、P型半導体の電子が少数キャリアに当たる。 反対に、数が多い方のキャリアは多数キャリアと呼ぶ。 多数キャリア 参考文献 参考図書 \専門家 […]
自由キャリア吸収(free carrier absorption)
自由キャリア(電子・正孔)によるエネルギーの吸収。電子がまたは正孔が伝導帯・価電子帯中で別の準位に遷移することでエネルギーを吸収する。 バンド間遷移による電子正孔対の生成とは異なり、既に存在するキャリアによる吸収を指す。 […]
μ-PCD法(micro photo conductivity decay)
Siウェーハのライフタイム測定法の一種。Siウェーハにバンドギャップエネルギー以上のレーザー光を照射し、少数キャリア量の時間変化をマイクロ波によって検出しライフタイムを測定する。 マイクロ波の反射率はキャリア濃度が高い程 […]
オリフラ(orientation flat)
オリエンテーションフラットの略で、円形のシリコンウェーハに形成された一部が平らになった部分。ウェーハの結晶方位を示す。 200mm以下の小口径にはオリフラが用いられ、300mm(12inch)の大口径ウェーハにはノッチと […]
ノッチ(notch)
シリコンウェーハに形成された、V字型の切り欠き。ウェーハの結晶方位を示す。 300mm(12inch)の大口径ウェーハにはノッチが用いられ、200mm以下の小口径にはオリフラと呼ばれる切り欠きが方位の目印に用いられている […]
二次イオン質量分析法(SIMS)とは：測定原理と応用例
二次イオン質量分析法(SIMS)とは (出典：MST) 二次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrinetry)は「試料に高エネルギーのイオンビームを照射し、発生する二次イオンを分析すること […]
少数キャリアライフタイム(LT)：測定原理と応用例
キャリアライフタイムとは 半導体に外部エネルギー(光・熱)を与えると、過剰キャリアを生成し非平衡状態になります。外部エネルギーが無くなると、生成した過剰キャリアは再結合により消滅していきます。 過剰キャリアのうち、多数キ […]
赤外散乱トモグラフィー(LST)：測定原理と応用例
赤外線散乱トモグラフィーとは (出典:SEMILAB) 赤外線散乱トモグラフィー(LST)は「半導体結晶の微小な結晶欠陥を検出する方法」です。 例えばSiウェーハ中の酸素析出物やVoid(COP)を検出するために用いられ […]
X線トポグラフィー(XRT)とは：原理と応用例
X線トポグラフィー(XRT)とは (出典:日鉄テクノロジー) X線トポグラフィーは「半導体結晶にX線を照射し、回折X線強度を測定することで結晶欠陥を2次元マップとして可視化する測定手法」です。 X線回折の強度は試料の結晶 […]