降伏現象(breakdown)
pn接合に大きな逆方向バイアスを印加すると、ある電圧から急激に逆方向電流が流れる現象。 降伏現象には大きく以下の2種類がある。 ツェナー降伏 アバランシェ降伏 半導体の降伏現象とは？ツェナーとアバランシェの違い 参考文献 […]
pn接合(pn junction)
p型半導体とn型半導体を接合したもの。その部分。 pn接合を形成すると、半導体の最重要性質である「電流を一方向にしか流さない性質(整流作用)」が発現する。 半導体のpn接合とバンド構造 半導体の電気的性質：p型半導体とn […]
スケーリング則(デナード則)とは：MOSFETの微細化
スケーリング則とは 半導体のスケーリング則とは「MOSFET(トランジスタ)の微細化によって、トランジスタの高速化が可能になるという法則」です。 つまり、トランジスタは小さくすればするほど、性能も向上するという事実を理論 […]
バンド理論(band theory)
結晶において、エネルギー準位が重なり合い連続したエネルギー帯を形成するという理論。エネルギー帯がバンド構造となるため、バンド理論と呼ぶ。 半導体のバンド理論とバンドギャップ 参考文献 参考図書 バンド理論 (Wikipe […]
n型半導体(n-type semiconductor)
電荷を運ぶキャリアが電子である半導体。電子が多数キャリア、正孔が少数キャリアとなる。 n型半導体はSiにP(ホウ素)をドープすることで得られる。Siの結晶格子に5価のリンがドープされると、Siの共有結合に電子が余る状態と […]
p型半導体(p-type semiconductor)
電荷を運ぶキャリアが正孔(ホール)である半導体。正孔が多数キャリア、電子が少数キャリアとなる。 p型半導体はSiにB(ホウ素)をドープすることで得られる。Siの結晶格子に3価のホウ素がドープされると、Siの共有結合には電 […]
反転層(inversion layer)
不純物半導体の表面に少数キャリア集まり出来た層。n型半導体の場合は正孔の層が、p型半導体の場合には電子の層が形成される。 MOSFETとは 参考文献 参考図書 反転層(Wikipedia) \専門家厳選！/ 半導体学習に […]
MOSFETとは：動作原理・構造・応用例
MOSFETの構造 下図はnチャネル型MOSFETの構造です。 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)は、半導体集積回路(LSI)で一般的に使用 […]
消衰効果(extinction effect)
回折X線が結晶内で多重反射することにより、回折強度が減少する効果。完全性の高い結晶ほど結晶内での多重回折が起こりやすいため、完全結晶ほど回折X線の強度が低下する。 結晶性の違いによりX線の回折強度が異なることを利用し、X […]
過剰キャリア(excess carrier)
熱平衡状態の半導体に外部エネルギー(熱・光)を与えた際に生成するキャリア(電子+正孔)。 過剰キャリアはエネルギー的に不安定な為、時間経過と共に再結合し消滅する。過剰キャリアが消滅するまでの時間をライフタイムと呼ぶ。 少 […]