D線

(出典:表面化学 Vol.37, No.3, pp.122-127, 2016)

Si結晶のフォトルミネッセンスを測定した際に観察される転位に由来する発光。

デバイスパターン形成時の局所応力など転移が発生した場合に観察され、最大でD1-D4の4本のピークが観察されることが知られている。

フォトルミネッセンス法(PL)とは

シリコンのフォトルミネッセンス(PL)

参考文献 参考図書

1. シリコン結晶欠陥評価へのカソードルミネッセンス法の応用(表面科学)

\専門家厳選！/

半導体学習に役立つ参考書・サイト