バンドギャップ(band gap)

半導体・絶縁体において、バンド構造における伝導帯と禁制帯の間の領域。

バンドギャップは材料によって決まる物性値である。各主材料のバンドギャップは以下の通り。

• シリコンSi：1.11eV
• ゲルマニウムGe：0.67eV
• 窒化ガリウムGaN：3.39eV
• 窒化ガリウムGaN：3.39eV
• 炭化ケイ素SiC：2.20-3.02eV
• ダイヤモンド：5.47eV

半導体のバンド理論とバンドギャップ

参考文献 参考図書

1. バンド理論 (Wikipedia)
2. バンドギャップ (Wikipedia)
3. 半導体の性質 (日立ハイテク)

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