out-of-plane
試料表面に対して平行な格子面を測定するX線回折法。XRDには、測定する結晶格子面によって以下の2手法がある。 (出典：富士時報) Out-of-Plane測定：試料表面に対して平行な格子面を測定 In-Plane測定：試 […]
インプレーン回折(in-plane diffraction)
(出典：富士時報) 試料に対し0.1-0.5°の浅い角度でX線を入射することで、X線回折パターンを得る分析法。X線の侵入深さが極めて浅くなり、基板由来の信号強度が小さくなるため、薄膜の分析に用いられる。 X線回折法(XR […]
X線回折法(XRD)とは：測定原理と応用例
X線回折法(XRD)とは (出典：Wikipedia) X線回折法は「結晶性試料にX線を照射した際、原子の周りにある電子によってX線が散乱・干渉した結果得られる回折パターンを解析する」測定手法です。 回折パターンは結晶構 […]
格子間酸素(interstitial oxygen)
シリコンの結晶格子において、格子間位置を占有する酸素。Oiと表記する。 格子間酸素は、デバイス工程での熱処理により拡散・凝集することで析出し、BMDと呼ばれる酸素析出物を形成する。 酸素析出物はそれ自身がリークの原因にも […]
置換型炭素(substitutional carbon)
シリコンの結晶格子において、格子位置を占有する炭素。Ciと表記する。 置換型炭素Csは電気的に不活性であるが、イオン注入や熱処理により格子間位置にはじき出され格子間炭素Ciとなると電気的に活性となるためデバイス不良を引き […]
格子間炭素(interstitial carbon)
シリコンの結晶格子において、格子間位置を占有する炭素。Ciと表記する。 格子間炭素Ciは酸素などの不純物と複合体と形成し電気的に活性となるため、デバイス不良を引き起こす原因となる。シリコンのPL測定により同定・定量するこ […]
原子番号効果(atomic-number effect)
特性X線の発生量が原子番号によって異なる効果。 入射電子線の散乱は原子の電子密度に比例するため、原子番号が大きい元素では散乱電子が増加し、入射電子による励起が減少するため特性X線の発生が少なくなる。一方、原子番号が小さい […]
特性X線(characteristic X-ray)
物質に十分なエネルギーの電子線を照射した際に生じるX線。発生するエネルギーは物質に固有なため、特性X線を調べることで元素分析が出来る。 発生原理は以下の通り。 電子線の照射で内殻電子が励起されホールが生じる 外殻電子がホ […]
散乱コントラスト(scattering contrast)
結晶性の薄片試料をTEM・STEM測定した際に、試料の影響を受けて透過電子密度が変わることによって生じるコントラスト。 透過電子の散乱が強い部分は電子密度が減少するため暗く、散乱が弱い部分は電子密度が高い為明るくうつる。 […]