バンド端発光(band edge emission)

PL・CLなどの発光スペクトルにおいて、価電子帯の正孔と伝導帯の電子が再結合することによる発光。

バンドギャップに相当するエネルギーを持つ光が放出される。Siの場合、1.12eV=1100nmにバンド端発光が観察される。

シリコンのフォトルミネッセンス(PL)

参考文献 参考図書

1. バンド端発光(Wikipedia)

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