エピタキシャル成長(epitaxial growth)

基板となる結晶の上に、基板の結晶構造を引き継いだ結晶質の薄膜を成長すること。その方法。

Si基板上に、より高品質のSi薄膜を成長させる場合などに用いられる手法である。

基板とエピ層が同材料であるエピ成長をホモエピタキシャル成長、異種材料であるものをヘテロエピタキシャル成長と呼ぶ。

エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長

半導体のエピタキシャル成長：MBEとCVD

ホモエピタキシャル成長

ヘテロエピタキシャル成長

参考文献 参考図書

1. エピタキシャル成長(Wikipedia)
2. 半導体シリコン結晶工学(Amazon)
3. 特殊加工工程(SUMCO)
4. トリクロロシラン(Wikipedia)
5. 安全データシート：トリクロロシラン(厚生労働省)
6. 分子線エピタキシー法(Wikipedia)
7. デバイス開発ヒストリー(アンリツ)
8. 2章 シリコン結晶技術(電子情報通信学会)
9. ジボラン(Wikipedia)
10. ホスフィン(Wikipedia)
11. アルシン(Wikipedia)

\専門家厳選！/

半導体学習に役立つ参考書・サイト