ウェハーの洗浄法：RCA・気相・機械洗浄の原理新着!!
ウェハー洗浄の種類 半導体デバイス工程は パーティクル(微粒子) 無機物 有機物 細菌・微生物(バクテリア) ウェーハ・デバイス汚染のメインはパーティクルです。 半導体のフォトリソグラフィとは？工程フローと原理 参考文献 […]
シリコンの汚染：各工程における汚染の種類新着!!
半導体デバイスはウェーハの表層に作られます。すなわち、デバイス表層の汚染はデバイスの大敵です。 汚染が存在すると、デバイス工程の歩留まりが悪化したり、デバイス特性が劣化するため問題です。 ここではシリコンウェーハの汚染と […]
化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)新着!!
CVD 参考文献 参考図書 化学気相成長(Wikipedia) エピタキシャル成長(Wikipedia) \専門家厳選！/ 半導体学習に役立つ参考書・サイト 用語集に戻る
CVD(Chemical Vapor Deposition)新着!!
(出典：ニデック) 基板への薄膜形成法の一種。加熱した基板上に、目的となる薄膜の原料ガスを供給し、熱・プラズマ・光などのエネルギーを与え、基板表面あるいは気相中での化学反応により膜を堆積する方法。 CVDはChemica […]
エピタキシャル成長(epitaxial growth)新着!!
基板となる結晶の上に、基板の結晶構造を引き継いだ結晶質の薄膜を成長すること。その方法。 Si基板上に、より高品質のSi薄膜を成長させる場合などに用いられる手法である。 基板とエピ層が同材料であるエピ成長をホモエピタキシャ […]
ヘテロエピタキシャル成長(heteroepitaxial growth)新着!!
エピタキシャル成長の内、基板とエピ層が異種材料であるもの。 基板とエピ膜が同材料のものはホモエピタキシャル成長と呼ばれる。 エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長 ホモエピタキシャル成長 ヘテロエピタキシャル成長 参考 […]
ホモエピタキシャル成長(homoepitaxial growth)新着!!
エピタキシャル成長の内、基板とエピ層が同材料であるもの。 基板とエピ膜が異種材料のものはヘテロエピタキシャル成長と呼ばれる。 エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長 ホモエピタキシャル成長 ヘテロエピタキシャル成長 参 […]
エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長新着!!
エピタキシャル成長とは エピタキシャル成長とは「基板となる結晶の上に、結晶質の薄膜を成長するプロセス」です。 基板とエピ膜が同材料であるエピ成長をホモエピタキシャル成長、異種材料であるものをヘテロエピタキシャル成長と呼び […]
シリコンウェハーの製造：ウェハー加工工程と原理
シリコンウェハーの製造工程 CZ法やFZ法によって製造されたSi単結晶は複数の工程を経て、シリコウェハーに加工されます。 シリコンインゴットは複数の円柱ブロックに切断した後、薄くスライスされベアウェハーとなります。ベアウ […]
シリコンの偏析現象：偏析係数と固溶度
偏析現象とは 偏析現象とは「融液からの結晶成長において、融液中(液相)の不純物濃度と結晶中(固相)の不純物濃度が異なる現象」です。 基本的に、シリコンにおける不純物の偏析係数k0はk01となるという報告があります。 偏析 […]