電気伝導率(electrical conductivity)
物質における電気の流れやすさを表す物性値。値が大きいほど電気を流しやすい。導電率や電気伝導度とも呼ばれる。単位はS/mや/(Ω・m)などが用いられる。 電気抵抗率は、電気抵抗率ρを用いて次式で表される。 $$\sigma […]
電気抵抗率(electrical resistivity)
電気の流れにくさを表す物性値。単位はΩ・mまたはΩ・cmが用いられる。単に、抵抗率や比抵抗とも呼ばれる。 電気抵抗率は次式で表される。 $$\rho = \frac{RA}{l}$$ ρ:電気抵抗率、 R:電気抵抗、 A […]
Siウェハー表面の性質：親水性と疎水性
Siの自然酸化膜 (出典:MST) シリコンウェハー表面には、10Å~30Å(1nm~3nm)の極めて薄い自然酸化膜が存在します。 Siウェハーの洗浄法でも述べた通り、半導体デバイスプロセスでは幾度となく洗浄が行われます […]
Siウェハーの洗浄法：RCA・気相洗浄法の原理
ウェハー洗浄の必要性 微粒子による汚染は、フォトリソグラフィー工程におけるデバイスパターン不良を引き起こします。 下図はフォトリソによるパターン形成後のSEM像です。 (出典:PHILIPS) 中心に存在するパーティクル […]
シリコンの汚染：各工程における汚染の種類
半導体デバイスはウェーハの表層に作られます。すなわち、デバイス表層の汚染はデバイスの大敵です。 汚染が存在すると、デバイス工程の歩留まりが悪化したり、デバイス特性が劣化するため問題です。 ここではシリコンウェーハの汚染と […]
化学気相成長(Chemical Vapor Deposition)
CVD 参考文献 参考図書 化学気相成長(Wikipedia) エピタキシャル成長(Wikipedia) \専門家厳選！/ 半導体学習に役立つ参考書・サイト 用語集に戻る
CVD(Chemical Vapor Deposition)
(出典：ニデック) 基板への薄膜形成法の一種。加熱した基板上に、目的となる薄膜の原料ガスを供給し、熱・プラズマ・光などのエネルギーを与え、基板表面あるいは気相中での化学反応により膜を堆積する方法。 CVDはChemica […]
エピタキシャル成長(epitaxial growth)
基板となる結晶の上に、基板の結晶構造を引き継いだ結晶質の薄膜を成長すること。その方法。 Si基板上に、より高品質のSi薄膜を成長させる場合などに用いられる手法である。 基板とエピ層が同材料であるエピ成長をホモエピタキシャ […]
ヘテロエピタキシャル成長(heteroepitaxial growth)
エピタキシャル成長の内、基板とエピ層が異種材料であるもの。 基板とエピ膜が同材料のものはホモエピタキシャル成長と呼ばれる。 エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長 ホモエピタキシャル成長 ヘテロエピタキシャル成長 参考 […]
ホモエピタキシャル成長(homoepitaxial growth)
エピタキシャル成長の内、基板とエピ層が同材料であるもの。 基板とエピ膜が異種材料のものはヘテロエピタキシャル成長と呼ばれる。 エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長 ホモエピタキシャル成長 ヘテロエピタキシャル成長 参 […]