パーシャルサイト(partial site)
Siウェーハをある一定領域ごと(サイト)に分けた際、領域の一部がFQA(Fixed Quality Area)からはみ出ているサイト。 領域全てがFQAに含まれるサイトはフルサイトと呼ぶ。 フルサイト FQA EEA 参 […]
LSTD(Laser Scattering Tomography Defect)
(出典:SEMILAB) 赤外散乱トモグラフィー(LST)で検出される欠陥・異物の総称。 LSTでは赤外散乱する物質であればすべて検出されるため、析出物やVoid、異物などの区別がつかない。そのため、LSTで検出された欠 […]
EEA(Edge Exclusive Area)
Siウェーハの最外周部(エッジ近傍)の領域。 ウェーハ最外周部は平坦度などの品質担保が難しく、全体に適用される品質保証項目から除外される。平坦度などの品質項目が保証された領域はFQAと呼ばれる。 最周辺部は、最終研磨時に […]
FQA(Fixed Quality Area)
Siウェーハの最外周部(エッジ近傍)を除いた、平坦度などの品質項目が保証された領域。エッジ近傍の品質保証外領域はEEAと呼ばれる。 ウェーハの最周辺部は、Siウェーハの最終研磨時に厚さがわずかに減少することが多く、フォト […]
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)
nMOSFETとpMOSFETを組み合わせた回路構造。特に、CMOSインバーターは省電力で高速動作が可能という特徴を持つことから、現代の半導体デバイスの基本構造になっている。 CMOSインバーターでは、入力電圧に応じnM […]
オートドーピング(auto-doping)
加熱基板中のドーパントが外方拡散により気相に放出され、エピ層中に再度取り込まれる現象。 エピ層中の抵抗率・抵抗率面内分布が悪化することから問題となる。 エピタキシャル成長の原理：Siのエピ成長 半導体の外方拡散・内方拡散 […]
内方拡散(in-diffusion)
Siウェーハが、雰囲気や隣接する基盤から拡散により原子をウェーハ内に取り込む現象。対義語は外方拡散。 半導体の外方拡散・内方拡散 外方拡散 参考文献 参考図書 シリコン結晶とその格子欠陥(生産と技術) MAGIC DEN […]
外方拡散(out-diffusion)
ウェーハ中の原子が熱処理などに外側に放出されること。対義語は内方拡散。 外方拡散を利用する例として、酸素の外方拡散を利用したSiウェーハ表面のDZ層形成がある。一方で、ドーパントが雰囲気中に外方拡散すると、エピ成長時の抵 […]
DZ層(Denuded Zone)
(出典:MEMC) Siウェーハ表面に形成した、酸素析出物や結晶欠陥が全くない層のこと。 ウェーハを例えば1200℃・窒素中で熱処理を行うことで酸素を外方拡散させ、酸素析出物を消去することで作製する。 半導体の外方拡散・ […]
半導体の外方拡散・内方拡散
外方拡散・内方拡散とは 半導体シリコンウェーハにはB・P原子などのドーパントや酸素原子が含まれています。 ウェーハ中の原子が熱処理などによって、外側に拡散・放出されることを外方拡散、ウェーハ外の原子を内側に拡散で取り込む […]