O-U
ULSI(Ultra Large Scale Integration)

素子数(トランジスタ数)が1000万個以上のIC(集積回路)。 ICは集積度によりLSI・VLSI・ULSIなどと呼ばれていたが、現在は高集積が当たり前となったためこれらを区別せずICと呼ぶようになった。 なお、LSI・ […]

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V-Z
VLSI(Very Large Scale Integration)

素子数(トランジスタ数)が100万~1000万個程度のIC(集積回路)。 ICは集積度によりLSI・VLSI・ULSIなどと呼ばれていたが、現在は高集積が当たり前となったためこれらを区別せずICと呼ぶようになった。 なお […]

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H-N
LSI(Large Scale Integration)

素子数(トランジスタ数)が1000~10万個程度のIC(集積回路)。 ICは集積度によりLSI・VLSI・ULSIなどと呼ばれていたが、現在は高集積が当たり前となったためこれらを区別せずICと呼ぶようになった。 なお、L […]

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A-G
FOUP(Front Opening Unified Pod)

(出典:ミライアル) Front Opening Unified Podの略であり、300mmウェーハを装置内に搬送・搬入する際に使用されるBOXのこと。 FOSBよりもウェーハ保持機構が弱く、ウェーハを半導体製造装置内 […]

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A-G
FOSB(Front Opening Shipping Box)

(出典:ミライアル) Front Opening Shipping Boxの略であり、300mmウェーハを保持する機構を有する搬送BOXのこと。 FOUPよりもウェーハの抑えバネが強く、しっかりと保持することから、ウェー […]

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リファレンス
半導体ウェーハ搬送容器:FOSB・FOUPの違い

半導体ウェーハは約0.8mmと薄く、非常に割れやすい材料です。 ウェーハの輸送や装置への搬送にはFOSBやFOUPと呼ばれる専用の搬送BOX(キャリア)が使用されています。 FOSBとは (出典:ミライアル) FOSBは […]

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あ行
エピハウス(epi house)

エピタキシャル成長に特化した半導体メーカー。 結晶メーカーで作製したウェーハを購入または受託を受け付け、SiCやGaNなどの材料をエピタキシャル成長させ販売することで利益を得る。 参考文献 参考図書 \専門家厳選!/ 半 […]

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O-U
QDR(Quick Dump Rins)

基板表面に残留した薬液を短時間で除去する洗浄方法。 QDRでは洗浄槽に薬液の付着した基板を導入し、薬液濃度の高い洗浄水をバルブから急速に排出することと、新たな純水の投入を繰り返すことで基板表面の薬液を洗い流す。 QDRの […]

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A-G
BHF(buffered hydrofluoric acid)

バッファードフッ酸 参考文献 参考図書 結晶検査装置(SEMILAB) \専門家厳選!/ 半導体学習に役立つ参考書・サイト 用語集に戻る

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は行
バッファードフッ酸(buffered hydrofluoric acid)

フッ化水素酸(HF)とフッ化アンモニウム溶液(NH4F)の混合水溶液。 半導体製造プロセスにおいて、SiO2のエッチングに用いられる。HF濃度とNH4Fを調整することで数十Å/min~数千Å/minの幅広いエッチングレー […]

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