Au-Si共晶(gold-silicon eutactic)
(出典：ResearchGate) 金(Au)とシリコン(Si)の共晶。Auの融点は1064℃、シリコンの融点は1414℃であるが、Au：Si≒4:1(at％)の共晶組成において共晶点(≒融点)が363℃まで低下する。 […]
4探針法(four-probe method)
(出典：Ossila) 半導体の抵抗率を測定する方法。基板表面に4本の探針を接触させ、外側の針間に電流を流しながら、内側の針間の電圧を測定することで低効率を測定する。 2探針法では端子間に流した電流とその時の電圧値から抵 […]
ファウンドリ(foundry)
製造に特化した半導体メーカー。製造技術に特化しているため、生産設備や技術開発への莫大な投資が可能で、高度な製造技術を有する。 半導体の設計・開発を行うファブレス企業からの受託を受けて生産を行う。TSMCが代表的な企業。 […]
ファブレス(fabless)
製造工場を持たず、半導体の開発・設計業務に特化した半導体メーカー。莫大な設備投資を必要とせず、技術開発に集中できるため高い設計技術を確保することが出来る。 半導体の製造はファウンドリに委託する形で行う。 IDM・ファブレ […]
IDM(Integrated Device Manufacturer)
自社で設計・製造・組み立てまで一貫して行う半導体企業のこと。IntelやSamsungがこれにあたる。 近年は半導体デバイスの開発サイクルが極めて早く、IDMの垂直統合モデルでは莫大な投資に耐えられない。そこで、ファブレ […]
バイポーラトランジスタ(BJT)とは：動作原理・構造・応用例
BJTとは BJT(Bipolar Junction Transistor)は「n型およびp型半導体を3つ用い、2つのpn接合を組み合わせたトランジスタ」です。 BJTは「ベース(B)」「エミッタ(E)」「コレクタ(C) […]
刃状転位(edge dislocation)
刃状転位(じんじょうてんい)は結晶の変位方向を示すバーガースベクトルと転位線が直行する欠陥。 3次元の原子の並びを上下方向の面としてみれば、上半分には6枚の面が存在するが、下半分には5枚の面しかない。 すなわち、上側には […]