は行
ポストベーク(post exposure bake)

フォトリソグラフィー工程が終わった後のレジストに行われる熱処理。 膜質を改質することで、フォトリソ工程後のエッチングやイオン注入に対する耐性が向上する。プリベーク同様、Siウェーハとの密着性が高まり、レジスト剥がれを防止 […]

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は行
プリベーク(pre-bake)

フォトリソグラフィー工程において、レジスト塗布した後に行われる軽い熱処理。焼きしめ。 レジスト中の有機溶媒を蒸発させることで、レジストを硬化し、Siウェーハとの密着性を高めることが出来る。 参考文献 参考図書 リソグラフ […]

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や行
焼きしめ(baking)

半導体の製造工程において、水分や有機溶媒の揮発、膜の改質、下地への密着性向上などを目的とした軽い熱処理。 以下の2つが焼きしめの代表例。 プリベーク ポストベーク 参考文献 参考図書 \専門家厳選!/ 半導体学習に役立つ […]

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た行
低温PL(low temperature photoluminescence)

低温に冷却した半導体材料に光を照射し、生成した電子・正孔対が、基底状態に戻る際に発光する光を解析する分析法。PLスペクトルから欠陥・不純物の種類・濃度を知ることが出来る。 常温の物質の準位は、それぞれ振動・回転準位を有す […]

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A-G
CL(cathodoluminescence)

カソードルミネッセンス 参考文献 参考図書 カソードルミネッセンス(Wikipedia) カソードルミネッセンス入門(HORIBA) \専門家厳選!/ 半導体学習に役立つ参考書・サイト 用語集に戻る

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か行
カソードルミネッセンス(cathodoluminescence)

材料に加速電子を照射することで電子正孔対を生成し、再結合する際に発光する現象。 発光には結晶のバンドギャップに相当するエネルギーを放出するバント端発光と、不純物準位起因の発光がある。発光波長と強度を分析することで、結晶性 […]

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O-U
PL(photoluminescence)

フォトルミネッセンス 参考文献 参考図書 フォトルミネッセンス(Wikipedia) \専門家厳選!/ 半導体学習に役立つ参考書・サイト 用語集に戻る

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リファレンス
シリコンのフォトルミネッセンス(PL):発光の種類

半導体Si基板はわずかな不純物の有無で抵抗率やゲッタリング能が変化するため、微量元素の定量が非常に重要です。 微量元素の測定法の1つとして用いられているのがフォトルミネッセンス法(PL)です。 Siのフォトルミネッセンス […]

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製造工程
開口数(NA)とは何か?わかりやすく図解

開口数とは? NA=n sinθ NA:開口数(Numerical Aperture) n:屈折率 θ:物体から対物レンズに入射する光の最大角度 開口数は「NA=n sinθで表されるレンズの分解能を求めるための指標」で […]

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な行
内部微小欠陥(bulk micro defect)

BMD 参考文献 参考図書 結晶検査装置(SEMILAB) \専門家厳選!/ 半導体学習に役立つ参考書・サイト 用語集に戻る

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