【図解】半導体製造工程の流れ
semi-journal
半導体素子はいくつもの工程を経て製造されています。ここでは、半導体素子の基本構造であるMOSFETの製造を例に、工程フローを順番に解説します。
シリコンウェーハ製造
単結晶シリコンインゴットをスライスし、研磨することで超平坦・鏡面のシリコンウェーハを製造します。半導体製造ではウェーハに回路を刻んでいきます。
酸化膜/窒化膜成膜
フォトレジスト塗布
スピンコート法によりフォトレジスト(PR)を塗布します。レジストはフォトリソグラフィー工程でのエッチングマスクになります。
露光
回路が描かれたマスクを通し、ウェーハにUV光を照射します。光照射部はレジストの溶解性が変化し、続く現像工程で不要なレジストが除去されます。
現像
エッチング
レジストをマスクとして、エッチングにより不要部を除去し回路を形成します。
エッチングには様々な種類がありますが、デバイス工程では選択性が高い「反応性イオンエッチング(RIE)」が多用されます。
レジスト剥離・洗浄
不要なレジストを剥離し除去します。
レジスト除去には「薬液を使用するウェット方式」と「気体として除去するアッシング(灰化)」があります。デバイス工程では選択性の高いアッシングが多用されます。
絶縁膜埋め込み
平坦化
機械化学研磨(CMP)により不要部を研磨し平坦化します。
ゲート酸化膜/ゲート電極形成
熱酸化でSiを酸化し、ゲート酸化膜を形成します。ゲート酸化膜表面に窒化処理を施した後、CVDでゲート電極層(多結晶シリコン(poly-Si))を形成します。
パターン形成
フォトリソグラフィーでゲート電極にパターンを刻み、ソース・ドレイン領域を形成します。
イオン注入
ソース・ドレイン領域にイオン注入によりドーパントを打ち込みます。酸化膜(STI)部にはイオンが打ち込まれません(犠牲酸化膜)。
その後、回復熱処理によりドーパントを活性化します。
層間絶縁膜形成/平坦化
CVDにより酸化膜を堆積します。この酸化膜は絶縁層として機能します。
コンタクトホール形成
フォトリソグラフィーによりコンタクトホールを形成します。ソース・ドレインに電極を形成・接続するための穴になります。
コンタクト形成
コンタクトホールに電極金属を堆積し、コンタクトを形成します。不要な膜はCMPにより研磨除去します。
トレンチ形成
再度フォトリソグラフィーでトレンチ(電極配線の為のレジスト開口部)を形成します。
金属膜堆積
金属膜を堆積しトレンチを埋めます。不要な膜はCMPで除去します。
配線形成
トレンチ形成-金属膜堆積を複数回繰り返し、立体的な配線層を形成します。
プローブ検査
ダイシング
回転するダイヤモンドブレードでチップ(ダイ)を切断します。
ダイボンディング
切断したダイを銀ペーストやはんだなどの接着剤でリードフレームに固定します。
ワイヤーボンディング
半導体素子と基板のインナーリードを金線で接続します。
モールディング
半導体素子をエポキシ樹脂で封止します。素子を衝撃や水分から守る役割があります。
ウエーハが丸いのは品質の均一化のためですか?半導体は角型なので最初から角型にしてはいけないのですか?今回の記事をみて半導体が少し理解出来ました ８０歳女性です!
コメントありがとうございます。
シンプルな回答としては半導体の材料であるシリコンインゴットが円柱状だからです。
単結晶の育成には熱環境の制御が非常に重要です。熱環境が不安定(まばら)な場合、冷えた箇所が次々と結晶化してしまい、単結晶ではなく多結晶となってしまいます。
シリコンインゴットを作製するCZ法では、るつぼ内に溶解したSiメルトに種結晶と呼ばれる単結晶を沈め、回転させながらゆっくりと引き上げることで単結晶を得るため、円形となります。
均一な熱分布を形成するためには円形のヒーターが適していますし、結果として結晶も円形になるものだと思います。
結晶周方向の品質を均一化するために結晶を回転させていることも、ウェーハが円形である理由の1つだと思います。
また、シリコンウェーハ製造やデバイス工程で使用されるCMPはウェーハを回転させながら研磨するため、円形の方が全面を均一に研磨できると思います。
長くなりましたが、単結晶作成と、デバイスを作製する際の面内品質の均一性から、ウェーハは円形となっているのでしょう。
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