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シリコンの科学

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半導体解説

シリコンの科学

STEP1 シリコン 結晶構造
シリコンの結晶構造
STEP2 シリコン 結晶面
Siの結晶面と結晶方位
STEP3 多結晶シリコン シーメンス法
多結晶シリコンの製造
STEP4 単結晶シリコン CZ FZ
単結晶Siの製造:CZ法・FZ法
STEP5 シリコン 偏析現象
シリコンの偏析現象
STEP6 シリコンウェハー 加工工程
Siウェハーの加工プロセス
STEP7 Si エピタキシャル成長
エピタキシャル成長の原理
STEP8 シリコン 汚染 種類
シリコンの汚染:汚染の種類
STEP9 Siウェハー 洗浄
Siウェハーの洗浄法
STEP10 シリコン 表面
Si表面の性質
STEP11 シリコン 酸化膜
Siの酸化膜:構造と不純物拡散
STEP12 Deal-Groveモデル
Siの熱酸化:Deal-Groveモデル
STEP13 SiO2 Si 界面
Si/SiO2界面の構造と性質
STEP14 シリコン 窒化
シリコンの窒化膜:用途と製法
STEP15 シリコン 結晶欠陥
シリコンの結晶欠陥
STEP16 シリコン 格子間酸素
シリコン中の酸素:固溶度・定量
STEP17 シリコン ゲッタリング
Siのゲッタリング:IGとEG
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